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FZ-30和FZ-35區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)專為工業(yè)生產(chǎn)直徑達(dá)200毫米（8英寸）的單晶硅晶體而設(shè)計(jì)。根據(jù)源棒的尺寸，可以拉出長(zhǎng)度為2000毫米的晶體。在這個(gè)過程中，晶體的直徑和液態(tài)區(qū)的高度可以用攝像系統(tǒng)來監(jiān)測(cè)。該系統(tǒng)采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產(chǎn)生高極限真空環(huán)境，有效地防止了工藝過程中的污染。

單腔立式甩干機(jī)適用于晶圓直徑至200mm；25片晶圓單盒工藝；標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃；可選內(nèi)置電阻率檢測(cè)傳感器來控制晶圓的清洗工藝；用冷或熱的N2輔助晶圓干燥；離心頭容易更換。 去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū)：去離子水回收；去阻率檢測(cè)裝置；機(jī)械手自動(dòng)加載；可放置臺(tái)面操作的設(shè)備、單立、雙腔；去離子水加熱系統(tǒng)；底座置放不銹鋼滾輪；溶劑滅火裝置；適用特殊設(shè)計(jì)的花籃。

FZ-14M(G)區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)為制備單晶硅晶體樣品而設(shè)計(jì)開發(fā)，該系統(tǒng)用于工業(yè)多晶硅生產(chǎn)中的材料分析。生產(chǎn)過程中的小型多晶體樣品在氬氣環(huán)境中被感應(yīng)熔化，并在籽晶上結(jié)晶，形成單晶，然后進(jìn)行光譜分析，以檢測(cè)和記錄所生產(chǎn)的多晶硅質(zhì)量。該系統(tǒng)采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產(chǎn)生高極限真空環(huán)境，有效地防止了工藝過程中的污染。

FZ-14 區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)是專為工業(yè)生產(chǎn)直徑達(dá)100毫米（4英寸）的單晶硅晶體而設(shè)計(jì)。根據(jù)源棒的尺寸，可以拉出長(zhǎng)度達(dá)1. 1米的晶體。在這個(gè)過程中，晶體的直徑和液體區(qū)的高度可以通過攝像系統(tǒng)來監(jiān)測(cè)。并且該系統(tǒng)的上部主軸和線圈都是自動(dòng)定位的。該系統(tǒng)采用無接觸熔化工藝，通過使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產(chǎn)生高極限真空環(huán)境，有效地防止了工藝過程中的污染，同時(shí)還能將氮?dú)庖允芸氐姆绞揭牍に嚑t體。

主要用于對(duì)硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理

CGS-Lab單晶爐是PVA產(chǎn)品線中最小的直拉法晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)，專門為研究所和實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)。10 英寸熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)用于最多 5 公斤的加料量和生長(zhǎng)直徑為 100 毫米、長(zhǎng)度為 300 毫米的硅錠。設(shè)備開爐狀態(tài)時(shí)高度為3.4米，對(duì)安裝場(chǎng)地的高度要求相當(dāng)?shù)?。晶體提升速度和旋轉(zhuǎn)速度適用于生產(chǎn)特定尺寸的晶棒。