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半導體激光退火機是用于半導體制造過程中的一種設備。退火是一種熱處理過程,通過加熱半導體材料來改變其性質(zhì),以實現(xiàn)所需的特性,如電導率、晶體結(jié)構(gòu)和應力緩解。半導體激光退火機利用高能激光束來對半導體基片進行精確和控制的加熱和修改。
快速退火爐RTP主要功能:快速熱退火,快速熱氧化,快速熱氮化,擴散,化合物半導體退火,離子注入后退火,電極合金化等。樣片尺寸:8inch,向下兼容,支持不規(guī)整樣品退火。退火溫度范圍:室溫~1200 ℃。4. 室溫到1000度,最快升溫速率120 ℃/second。