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枚葉式PECVD設(shè)備CME-200E/400 枚葉式PE-CVD設(shè)備CME-200E/400是適用于Si系絕緣膜、barrier膜等成膜的量產(chǎn)用PECVD設(shè)備。

縱向式Cat-CVD設(shè)備CCV系列CCV Series是a-Si鍍膜用的縱向式CVD設(shè)備。有30年以上的量產(chǎn)實績。在各個chamber通過低壓鍍膜，得到高品質(zhì)的膜質(zhì)。

PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等離子體增強CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。PD-100ST具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。

PD-330STC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性，實現(xiàn)了高產(chǎn)量。

PD-270STLC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø236毫米的托架實現(xiàn)了高產(chǎn)量，可安裝三個ø4英寸的晶圓。

PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100μm）。PD-200STL具有時尚、緊湊的設(shè)計，只需要小的潔凈室空間。