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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  3 CVD  >  PD-200STL等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)

等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源,以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜,從薄膜到厚的薄膜(高達(dá)100μm)。PD-200STL具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì),只需要小的潔凈室空間。

  • 產(chǎn)品型號(hào):PD-200STL
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間:2024-09-06
  • 訪  問(wèn)  量: 173

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源,以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜,從薄膜到厚的薄膜(高達(dá)100μm)。PD-200STL具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì),只需要小的潔凈室空間。

2. 設(shè)備用途/原理

塑料材料上保護(hù)膜的沉積在3D LSI的通孔側(cè)壁上沉積絕緣膜。光波導(dǎo)的制造(光纖芯/包層)。制造用于微型機(jī)械生產(chǎn)的面罩。覆蓋高縱橫比結(jié)構(gòu),如MEMS器件。SAW設(shè)備的溫度補(bǔ)償膜和鈍化膜。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

加工范圍達(dá)?200毫米(8")。陰耦合自偏析沉積技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力薄膜的高速(>300nm/min)沉積。通過(guò)低溫沉積,可以在塑料表面上沉積薄膜。高縱橫比結(jié)構(gòu)的優(yōu)秀階梯覆蓋率使用鍺、磷、硼液源控制折射率PD-200STL設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊,只需要小的潔凈室空間。


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