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等離子體增強CVD系統(tǒng)

簡要描述:PD-330STC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng),可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源,以低應力沉積SiO2薄膜,從薄膜到厚的薄膜(高達100 µm)。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性,實現(xiàn)了高產(chǎn)量。

  • 產(chǎn)品型號:PD-330STC
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-04
  • 訪  問  量: 171

詳細介紹

1. 產(chǎn)品概述

PD-330STC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強CVD系統(tǒng),可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源,以低應力沉積SiO2薄膜,從薄膜到厚的薄膜(高達100 µm)。該系統(tǒng)通過采用大氣盒裝載和?300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性,實現(xiàn)了高產(chǎn)量。

2. 設備用途/原理

塑料材料上保護膜的沉積在3D LSI的通孔側(cè)壁上沉積絕緣膜。光波導的制造(光纖芯/包層)。制造用于微型機械生產(chǎn)的面罩。覆蓋高縱橫比結(jié)構(gòu),如MEMS器件。TCSAW器件的溫度補償膜和鈍化膜。

3. 設備特點

沉積范圍達?300 mm(12")。陰耦合自偏析沉積技術(shù)可以實現(xiàn)低應力薄膜的高速(>300 nm/min)沉積。通過低溫沉積,可以在塑料表面上沉積薄膜。高縱橫比結(jié)構(gòu)的優(yōu)秀階梯覆蓋率。使用鍺、磷、硼液源控制折射率。優(yōu)異的工藝均勻性和可重復性。

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