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RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高縱橫比處理（超過(guò)100）和低扇形處理，同時(shí)保持高蝕刻率和選擇性。

RIE-802BCT深硅刻蝕設(shè)備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對(duì)準(zhǔn)器。該高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高長(zhǎng)寬比加工（超過(guò)100）和低扇形加工，同時(shí)保持高蝕刻率和抗蝕劑選擇率。

PD-100ST是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。PD-100ST具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，只需要小的潔凈室空間。

PD-330STC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。該系統(tǒng)通過(guò)采用大氣盒裝載和ø300毫米晶圓的優(yōu)良工藝均勻性，實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量。

PD-270STLC是一種低溫(80 ~ 400°C)、高速(300 nm/min)的等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100 µm）。該系統(tǒng)通過(guò)采用大氣盒裝載和ø236毫米的托架實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)量，可安裝三個(gè)ø4英寸的晶圓。

PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液態(tài)TEOS源，以低應(yīng)力沉積SiO2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達(dá)100μm）。PD-200STL具有時(shí)尚、緊湊的設(shè)計(jì)，只需要小的潔凈室空間。