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SENTECH SI 500 ICP-RIE等離子體蝕刻系統(tǒng)使用具有低離子能量的電感耦合等離子體 （ICP） 源，可實(shí)現(xiàn)低損傷蝕刻和納米結(jié)構(gòu)。

SI 500 C 代表了專(zhuān)為低溫蝕刻而設(shè)計(jì)的電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿。SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 （ICP） 處理的前沿技術(shù)，其最寬溫度范圍為 -150 °C 至 150 °C。 該工具包括 ICP 等離子體源 PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極、一個(gè)受控的真空系統(tǒng)和一個(gè)非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是

PlasmaPro 100 Nano 用于生長(zhǎng)1D / 2D納米材料和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通過(guò)在線催化劑活化和嚴(yán)格的工藝控制，實(shí)現(xiàn)納米材料的高性能生長(zhǎng)。

離子束沉積產(chǎn)品是因?yàn)樗鼈兡軌蛏a(chǎn)具有高質(zhì)量，致密和表面光滑的沉積薄膜。離子束技術(shù)提供了一種多樣的刻蝕和沉積的方法，并可在同一設(shè)備上實(shí)現(xiàn)， 因而提高系統(tǒng)的利用率。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開(kāi)式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)規(guī)格與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。

ALE是一種先進(jìn)的刻蝕技術(shù)，可以針對(duì)較淺的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行出色的深度控制。 隨著器件微結(jié)構(gòu)尺寸越來(lái)越小，要達(dá)到器件的更高性能可以通過(guò)ALE技術(shù)所具有的精度來(lái)實(shí)現(xiàn)。 在如今的先進(jìn)微電子器件制造中，高保真度的圖案轉(zhuǎn)移（刻蝕）是至關(guān)重要的。隨著特征尺寸縮小至亞10納米級(jí)別，以及新型器件采用超薄的二維材料，對(duì)原子尺度保真度的需求不斷增加。 原子層刻蝕(ALE)技術(shù)克服了傳統(tǒng)（連續(xù)）刻蝕技術(shù)在原子尺度上的局限

織雀™PL-3D Premium 是托托科技自主研發(fā)的高精密微3D光刻設(shè)備， 最高光學(xué)分辨率可達(dá)1μm，支持最大50 mm×50 mm×50 mm的加工尺寸，設(shè)備還支持對(duì)準(zhǔn)套刻功能，可在已有結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行多材料的駁接打印，在復(fù)雜三維微納結(jié)構(gòu)、高深寬比微納結(jié)構(gòu)以及復(fù)合材料三維微納結(jié)構(gòu)制造方面具有突出的潛能和優(yōu)勢(shì)，而且還具有制造周期短、打印成本低、成型精度高、可使用材料種類(lèi)多、無(wú)需模具直接成型的優(yōu)點(diǎn)