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當(dāng)前位置：首頁  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  5 刻蝕設(shè)備  >  PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕

原子層刻蝕

簡要描述：ALE是一種先進(jìn)的刻蝕技術(shù)，可以針對較淺的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行出色的深度控制。 隨著器件微結(jié)構(gòu)尺寸越來越小，要達(dá)到器件的更高性能可以通過ALE技術(shù)所具有的精度來實現(xiàn)。

在如今的先進(jìn)微電子器件制造中，高保真度的圖案轉(zhuǎn)移（刻蝕）是至關(guān)重要的。隨著特征尺寸縮小至亞10納米級別，以及新型器件采用超薄的二維材料，對原子尺度保真度的需求不斷增加。

原子層刻蝕(ALE)技術(shù)克服了傳統(tǒng)（連續(xù)）刻蝕技術(shù)在原子尺度上的局限

  • 產(chǎn)品型號：PlasmaPro 100 ALE
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時間：2024-08-12
  • 訪  問  量： 150

詳細(xì)介紹

工藝優(yōu)勢

  • 可實現(xiàn)刻蝕層的高深度精度

  • 最大可加工200 mm的晶圓，典型均勻度<±2%

  • 利用先進(jìn)的技術(shù)對刻蝕深度進(jìn)行高度控制

  • 對襯底的損害小

  • 可與標(biāo)準(zhǔn)ICP結(jié)合使用

原子層刻蝕工藝

原子層刻蝕通常包括4個步驟的周期，根據(jù)需要可重復(fù)多次，以達(dá)到所需的刻蝕深度。以下是使用 Cl2/Ar進(jìn)行AlGaN刻蝕的ALE示例：

步驟 1) 對基底進(jìn)行刻蝕氣體的投放，刻蝕氣體吸附在刻蝕材料上并與之發(fā)生反應(yīng)。通常，刻蝕氣體經(jīng)等離子體解離以增強吸附速率。通過正確選擇投放氣體和參數(shù)，這個步驟可以實現(xiàn)自限制，即在吸附一層分子后化學(xué)投放停止。

步驟 2) 清除所有剩余的投放氣體

步驟 3) 用低能惰性離子轟擊表面，去除已發(fā)生反應(yīng)的表面層。如果離子的能量足以去除化學(xué)修飾層，但不足以（濺射）刻蝕下層塊狀材料，這可能是自限制。

步驟 4)清除腔室內(nèi)的刻蝕產(chǎn)物。

原子層刻蝕的優(yōu)勢

  • 采用低離子能量，刻蝕損傷小

  • 精確控制刻蝕深度

  • 超薄層去除

  • 自限制行為

  • 選擇性高，因為可對劑量氣體和離子能量進(jìn)行定制，以盡量減少對掩膜層或底層材料的刻蝕

  • 刻蝕速率受刻蝕特征長寬比的影響較?。礈p少ARDE），因為自由基的供應(yīng)和表面離子轟擊已分成獨立的步驟

  • 由于具有自限性，均勻性得到改善

  • 刻蝕表面光滑

  • 由于依賴離子轟擊，因此具有各向異性







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