使用低溫加工的深硅蝕刻

電感耦合 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)設(shè)計用于硅的低溫蝕刻以獲得光滑的側(cè)壁、室溫下的硅蝕刻以及使用氣體切碎工藝的深硅蝕刻，應(yīng)用在流體學、傳感器、光電子學、光子學和量子技術(shù)中。

SENTECH專有的等離子體源技術(shù)

SENTECH 平面三重螺旋天線 （PTSA） 是一種 ICP 等離子體源。PTSA 源產(chǎn)生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器和量子點的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點火性能，適用于處理各種材料和結(jié)構(gòu)。

動態(tài)溫度控制

等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴格標準。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。通常，低溫電極使用液氮冷卻，但是，低溫電極也可用于使用冷卻器進行室溫處理。有一個選項可用于在低溫蝕刻和室溫蝕刻之間自動切換。