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Kessel™ Pishow® M 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的IC產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性（片內(nèi)8%，片間5%）和顆?？刂?。在4微米厚鋁刻蝕工藝中，可以提供8000片/月的產(chǎn)能。 該設(shè)備高性價(jià)比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可為客戶產(chǎn)能升級(jí)提供幫助。

Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備 設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構(gòu)成 適用于0.11微米及其它技術(shù)代的多晶硅柵（poly gate）、側(cè)墻（spacer）、淺溝槽隔離（STI）工藝

Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備，為針對(duì)12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品， 同時(shí)也可應(yīng)用于鋁墊（Al pad）刻蝕。該設(shè)備承襲了 Chimera® A 的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，具有出色的均勻性調(diào)控手段， 可以為客戶提供高性價(jià)比的解決方案。

Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對(duì) 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一重復(fù)道次高的工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，以滿足 12 英寸產(chǎn)線的各種硬質(zhì)掩膜刻蝕需求。此外，Chimera® A 硬掩?？涛g腔可作為 LMEC-300™ 設(shè)備的選配模塊，實(shí)現(xiàn)從金屬硬掩模刻蝕到器件功能層刻蝕的一體化工藝。

Ganister™ A離子束沉積設(shè)備，是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜，靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉(zhuǎn)靶材基座，更可處理多達(dá)四種靶材。選配的輔助離子源，可以實(shí)現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外，Ganister™ A的輔助離子源也可進(jìn)行離子束刻蝕，一個(gè)腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝，顯著提高

Lorem® A 系列常規(guī) IBS 設(shè)備，由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制，提升了工藝可控性；載片臺(tái)的角度可調(diào)整，實(shí)現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于特殊圖案的刻蝕，