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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  5 刻蝕設(shè)備  >  Herent® Chimera® M12英寸金屬刻蝕設(shè)備

12英寸金屬刻蝕設(shè)備

簡(jiǎn)要描述:Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備,為針對(duì)12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開(kāi)發(fā)的專用產(chǎn)品, 同時(shí)也可應(yīng)用于鋁墊(Al pad)刻蝕。該設(shè)備承襲了 Chimera® A 的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,具有出色的均勻性調(diào)控手段, 可以為客戶提供高性價(jià)比的解決方案。

  • 產(chǎn)品型號(hào):Herent® Chimera® M
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-04
  • 訪  問(wèn)  量: 172

詳細(xì)介紹

1. 系統(tǒng)特性

Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備是面向12英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備

設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔(ICP etch chamber)、去膠腔(strip chamber)、傳輸模塊(transfer module)構(gòu)成

適用于0.18微米及其他技術(shù)代邏輯應(yīng)用中的高密度鋁導(dǎo)線工藝,以及鋁墊刻蝕

2. 詳細(xì)介紹

Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備,為針對(duì)12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開(kāi)發(fā)的用產(chǎn)品, 同時(shí)也可應(yīng)用于鋁墊(Al pad)刻蝕。該設(shè)備承襲了 Chimera® A 的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,具有出色的均勻性調(diào)控手段, 可以為客戶提供高性價(jià)比的解決方案

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