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簡(jiǎn)要描述：Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構(gòu)成適用于0.11微米及其它技術(shù)代的多晶硅柵（poly gate）、側(cè)墻（spacer）、淺溝槽隔離（STI）工藝
產(chǎn)品型號(hào)：Tebaank® Pishow® P廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2024-09-04訪 問(wèn) 量： 145產(chǎn)品分類(lèi)
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1. 產(chǎn)品概述：
Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構(gòu)成
適用于0.11微米及其它技術(shù)代的多晶硅柵（poly gate）、側(cè)墻（spacer）、淺溝槽隔離（STI）工藝
2. 工藝數(shù)據(jù)
3 μm Trench
0.4 μm Trench
0.25 μm Trench
2 μm Poly
0.18 μm Poly
3. 詳細(xì)介紹
Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備，為8英寸IC產(chǎn)線上柵工藝的多腔式量產(chǎn)型設(shè)備，擁有自主開(kāi)發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)， 保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性（片內(nèi)<5%，片間<5%）和顆?？刂啤Ｌ峁〢A、gate、STI、spacer、W recess等各項(xiàng)工藝的刻蝕解決方案。該設(shè)備高性?xún)r(jià)比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可為客戶產(chǎn)能升提供幫助。
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