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簡要描述:Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備,為針對 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦(TiN)金屬硬掩膜刻蝕(metal hardmask open) 這一重復(fù)道次高的工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,以滿足 12 英寸產(chǎn)線的各種硬質(zhì)掩膜刻蝕需求。此外,Chimera® A 硬掩??涛g腔可作為 LMEC-300™ 設(shè)備的選配模塊,實(shí)現(xiàn)從金屬硬掩??涛g到器件功能層刻蝕的一體化工藝。
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1. 產(chǎn)品概述:
Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備,為針對 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦(TiN)金屬硬掩膜刻蝕(metal hardmask open) 這一重復(fù)道次高的工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,以滿足 12 英寸產(chǎn)線的各種硬質(zhì)掩膜刻蝕需求。此外,Chimera® A 硬掩??涛g腔可作為 LMEC-300™ 設(shè)備的選配模塊,實(shí)現(xiàn)從金屬硬掩??涛g到器件功能層刻蝕的一體化工藝。
12英寸硬掩膜刻蝕設(shè)備
2. Herent® Chimera® A系統(tǒng)特性
Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備是面向 12 英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備
設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔(ICP etch chamber)及傳輸模塊(transfer module)構(gòu)成
適用于 55 納米及其它技術(shù)代的 TiN 等硬掩膜刻蝕工藝
為針對 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦(TiN)金屬硬掩膜刻蝕(metal hardmask open) 這一重復(fù)道次高的工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,以滿足 12 英寸產(chǎn)線的各種硬質(zhì)掩膜刻蝕需求。此外,Chimera® A 硬掩??涛g腔可作為 LMEC-300™ 設(shè)備的選配模塊,實(shí)現(xiàn)從金屬硬掩??涛g到器件功能層刻蝕的一體化工藝。
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