當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 2 PVD > Ganister™ A 系列8英寸離子束沉積(IBD)設(shè)備
簡要描述:Ganister™ A離子束沉積設(shè)備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉(zhuǎn)靶材基座,更可處理多達(dá)四種靶材。選配的輔助離子源,可以實(shí)現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進(jìn)行離子束刻蝕,一個(gè)腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝,顯著提高
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1. 產(chǎn)品概述
Ganister™ A離子束沉積設(shè)備,是針對低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品,在硬盤磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉(zhuǎn)靶材基座,更可處理多達(dá)四種靶材。選配的輔助離子源,可以實(shí)現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進(jìn)行離子束刻蝕,一個(gè)腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝,顯著提高了該設(shè)備的功能。
2. 系統(tǒng)特性
在低溫、超低壓工藝模式下,形成高致密優(yōu)質(zhì)膜層
雙離子源結(jié)構(gòu)(濺射+輔助離子源),輔助源用于清洗與輔助濺射
可高精度控制沉積過程,并能保障批次間的膜層重復(fù)性
實(shí)時(shí)光控設(shè)備,用來監(jiān)控、分析、調(diào)整膜層光譜
選配:可在一個(gè)腔室內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)IBD和離子束刻蝕(IBE)功能
適用于8英寸晶圓
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