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簡(jiǎn)要描述:GNP POLI-762是高通用性12英寸(300mm) CMP工藝而開發(fā),也為先進(jìn)晶圓制造商和耗材供應(yīng)商設(shè)計(jì)的。GNP POLI-500廣泛用于耗材供應(yīng)商,襯底制造商和芯片開發(fā)商的8“(200mm)高級(jí)研發(fā)評(píng)估。GNP POLI-400L是專為先進(jìn)的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)應(yīng)用,如MEMS, as以及化學(xué)機(jī)械拋光特性研究。該系統(tǒng)擁有成本低,占地面積小。
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1. POLI-762概述:
GNP POLI-762是高通用性12英寸(300mm) CMP工藝而開發(fā),也為先進(jìn)晶圓制造商和耗材供應(yīng)商設(shè)計(jì)的。
規(guī)格:機(jī)頭,工作臺(tái):30 200 rpm,旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),機(jī)頭振蕩(±15mm)。尺寸:1580W * 1480D * 1960H mm。壓板尺寸:Φ 762毫米(30英寸),特氟龍涂層鋁。壓制方式:可變空氣壓力電子控制器。膜型:70~ 350g /cm2 (1psi ~ 5psi)用于12"晶圓片。工藝:自動(dòng)順序,干/濕。
可增添選項(xiàng):墊式調(diào)理方法:擺頭式或擺臂式、單頭或雙頭系統(tǒng)、摩擦力和溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、自動(dòng)上下料系統(tǒng)、應(yīng)用程序、工件:大12英寸晶圓片、CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金屬CMP(W、Cu)、STI、PGI等。
2. POLI-500概述:
GNP POLI-500廣泛用于耗材供應(yīng)商,襯底制造商和芯片開發(fā)商的8"(200mm)高研發(fā)評(píng)估。
規(guī)格:機(jī)頭,工作臺(tái):30 200rpm,旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),機(jī)頭振蕩(±15mm)。尺寸:1200W* 1160D * 1960H mm。壓板尺寸:508毫米(20英寸),陽(yáng)氧化鋁(可選:特氟龍涂層)。壓制方式:可變空氣壓力電子控制器。膜型:70~ 500g /cm2 (1psi ~ 7.1 psi)。工藝:自動(dòng)順序,干/濕。
可增添選項(xiàng):墊式調(diào)理方法:擺頭式或擺臂式雙頭系統(tǒng)、摩擦力和溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。
應(yīng)用程序工件:大8英寸晶圓片,MEMS結(jié)構(gòu),貼片CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金屬CMP(W、Cu)、STI、PGI等
3. POLI-400L概述:
GNP POLI-400L是為先進(jìn)的CMP工藝開發(fā)應(yīng)用,如MEMS, as以及CMP特性研究。該系統(tǒng)擁有成本低,占地面積小。
規(guī)格:機(jī)頭,工作臺(tái):30- 200rpm,旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),機(jī)頭振蕩(±15mm)。尺寸:970W * 1010D * 1850H mm。壓板尺寸:Ф 406毫米(16英寸),陽(yáng)氧化鋁(可選:特氟龍涂層)。壓制方式:可變空氣壓力電子控制器。膜型:70~ 500g /cm2 (1psi ~ 7psi)適用于4",6"硅片。工藝:自動(dòng)順序,干/濕。
選項(xiàng)墊式調(diào)理方法:擺頭式或擺臂式雙頭系統(tǒng)、摩擦力和溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。
應(yīng)用程序工件:大6英寸晶圓片,MEMS結(jié)構(gòu),貼片CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金屬CMP(W、Cu)、STI、PGI等。
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