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簡要描述:掩模的完整性對高標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝的成功起主要作用。MaskTrack Pro 掩膜清洗處理系統(tǒng)滿足下一代光刻節(jié)點在掩模清洗、烘烤和顯影工藝方面的所有標(biāo)準(zhǔn)。它是應(yīng)對 193i 1x half-pitch DPT、極紫外光刻 (EUVL) 和納米壓印光刻 (NIL)高要求的創(chuàng)新解決方案。以創(chuàng)新技術(shù)最大限度地提高光掩模性能。MaskTrack Pro 允許用第三方的產(chǎn)品擴展工具集群,并提供一個全面的方法
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1.產(chǎn)品概述:
掩模的完整性對高標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝的成功起主要作用。MaskTrack Pro 掩膜自動處理系統(tǒng)滿足下一代光刻節(jié)點在掩模清洗、烘烤和顯影工藝方面的所有標(biāo)準(zhǔn)。它是應(yīng)對 193i 1x half-pitch DPT、紫外光刻 (EUVL) 和納米壓印光刻 (NIL)高要求的創(chuàng)新解決方案。以創(chuàng)新技術(shù)大限度地提高光掩模性能。
2.產(chǎn)品優(yōu)勢:
MaskTrack Pro 允許用第三方的產(chǎn)品擴展工具集群,并提供一個方法,在全控、高潔環(huán)境中存儲、處理和加工光掩模。模塊化設(shè)計確保其具有高度的靈活性并能高度適應(yīng)客戶的要求。MaskTrack Pro 在次運行就能提供佳的清潔效果。
3.產(chǎn)品工藝:
物理清洗:
該系統(tǒng)為濕法清洗提供多種物理力技術(shù),包括高可達3個的預(yù)清洗與終清洗腔室,用于剝離隔離、預(yù)清洗和終清洗工藝。
原位紫外表面處理與清洗技術(shù)
頻率高達4 MHz的高頻雙兆聲波清洗
精密的納米二元噴霧
聚焦點清洗
化學(xué)清洗:
DIW-H20脫氣,用于控制兆聲波工藝中的空化控制
超潔凈的冷/熱CO2-DI水
臭氧DI水和pH值穩(wěn)定的電解H2
超稀釋的SC1
用于進一步減少圖案損傷的堿基新介質(zhì)
15 nm工藝介質(zhì)過濾間
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