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全自動CMP拋光機(jī)

簡要描述:全自動CMP拋光機(jī)是一款針對薄膜(介質(zhì)層)的全自動拋光設(shè)備,操作便捷,兼容性強(qiáng),通過更換拋光壓頭實現(xiàn)不同尺寸晶圓的兼容,采用自動化裝片方式,機(jī)械手自動取放片,同時搭配雙面PVA滾刷進(jìn)行在線刷洗功能,實現(xiàn)干進(jìn)干出,用于氧化物、金屬、STI、SOI、MEMS等產(chǎn)品的平坦化拋光,應(yīng)用廣泛。

  • 產(chǎn)品型號:TPC-2110
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-09-06
  • 訪  問  量: 164

詳細(xì)介紹

1.  產(chǎn)品概述:

CMP拋光機(jī),全稱為化學(xué)機(jī)械拋光機(jī),是一種針對薄膜(如介質(zhì)層)進(jìn)行拋光處理的設(shè)備。它結(jié)合了化學(xué)刻蝕和機(jī)械摩擦的綜合作用,通過精確控制拋光過程中的化學(xué)和機(jī)械參數(shù),實現(xiàn)對晶圓表面材料的精細(xì)去除和平坦化處理。CMP拋光機(jī)具有操作便捷、兼容性強(qiáng)等特點,能夠根據(jù)不同尺寸和類型的晶圓進(jìn)行適配,并通過更換拋光壓頭等方式實現(xiàn)多種拋光工藝的需求。

2.  設(shè)備用途/原理:

CMP拋光機(jī)在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色,其主要用途包括:

1. 晶圓表面平坦化:在集成電路制造過程中,CMP拋光機(jī)用于對晶圓表面進(jìn)行平坦化處理,以消除表面起伏和缺陷,提高晶圓表面的平整度。這對于后續(xù)工藝步驟的順利進(jìn)行和芯片性能的提升至關(guān)重要。

2. 薄膜厚度控制:CMP拋光機(jī)能夠精確控制晶圓表面薄膜的厚度,確保薄膜厚度達(dá)到設(shè)計要求。這對于提高芯片的性能和可靠性具有重要意義。

3. 特殊材料加工:除了集成電路制造外,CMP拋光機(jī)還廣泛應(yīng)用于3D封裝技術(shù)、特殊材料加工等領(lǐng)域。例如,在3D封裝技術(shù)中,CMP拋光機(jī)用于處理芯片之間的連接面,以確保連接的精確性和可靠性。

3.  設(shè)備特點

CMP拋光機(jī)具有以下幾個顯著特點:

1  高精度控制:CMP拋光機(jī)采用先進(jìn)的控制系統(tǒng)和精密的機(jī)械結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)對拋光過程中各項參數(shù)的精確控制。這包括拋光壓力、拋光盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速等關(guān)鍵參數(shù),從而確保拋光效果的穩(wěn)定性和一致性。

2 多工藝兼容:CMP拋光機(jī)具有較強(qiáng)的兼容性,能夠根據(jù)不同材料和工藝的需求進(jìn)行適配。通過更換拋光壓頭、調(diào)整拋光液配方等方式,CMP拋光機(jī)可以實現(xiàn)對多種材料和工藝的拋光處理。

3 自動化程度高:現(xiàn)代CMP拋光機(jī)通常配備有自動化上下片系統(tǒng)、自動清洗系統(tǒng)等輔助設(shè)備,能夠?qū)崿F(xiàn)拋光過程的自動化操作。這不僅提高了生產(chǎn)效率,還降低了人工操作帶來的誤差和風(fēng)險。

4 環(huán)保節(jié)能:CMP拋光機(jī)在設(shè)計和制造過程中注重環(huán)保和節(jié)能。例如,采用低能耗的電機(jī)和傳動系統(tǒng)、優(yōu)化拋光液配方以減少廢液排放等措施,都有助于降低設(shè)備運行過程中的能耗和環(huán)境污染。

綜上所述,CMP拋光機(jī)作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的重要設(shè)備之一,具有高精度控制、多工藝兼容、自動化程度高和環(huán)保節(jié)能等特點。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展和進(jìn)步,CMP拋光機(jī)也將不斷升級和完善,為半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展提供更加有力的支持。
 4. 設(shè)備參數(shù)

規(guī)格/參數(shù)

TPC-2110

晶圓尺寸

兼容6/8英寸

加工形式

全自動干進(jìn)干出

拋光盤數(shù)量

1

拋光盤轉(zhuǎn)速

0-200 RPM

拋光頭轉(zhuǎn)速

0-200RPM

Wafer氣囊壓力

0-700 g/cm2

分區(qū)加壓

8英寸5區(qū),6英寸3區(qū)

保持環(huán)壓力

0-700 g/cm2

修整器

擺臂式金剛石修整器

清洗工位

3個:2個刷洗+1個兆聲&干燥

研磨大速率(Sio2

200nm/min

研磨后晶圓表面粗糙度(Sio2)

Ra≤0.5nm(監(jiān)測區(qū)域 面積≥5umx5um)

Sio2研磨去除速率

片間非均勻性≤5%

Sio2研磨去除速率

片內(nèi)非均勻性≤5%(去邊5EE,同一直徑從左到右 9 )



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