1 產(chǎn)品概述:

      離子注入設(shè)備，又稱(chēng)為離子注入機(jī)，是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵設(shè)備之一。它通過(guò)將可控?cái)?shù)量的離子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半導(dǎo)體材料（如硅片）的特定區(qū)域，以改變其電學(xué)性能，實(shí)現(xiàn)摻雜的目的。離子注入技術(shù)具有精確控制摻雜深度、濃度和橫向分布的能力，是現(xiàn)代集成電路制造中一環(huán)。

離子注入設(shè)備主要由離子源、離子引出和質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔等部分組成。離子源負(fù)責(zé)產(chǎn)生所需的離子，經(jīng)過(guò)質(zhì)量分析器篩選后，由加速管加速至幾百千電子伏特的能量，最后通過(guò)掃描系統(tǒng)均勻地注入到硅片表面。工藝腔則提供了一個(gè)真空環(huán)境，確保離子注入過(guò)程的順利進(jìn)行。

2 設(shè)備用途：

離子注入設(shè)備在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域具有廣泛的用途，主要包括以下幾個(gè)方面：

1. 集成電路制造：在制造集成電路的過(guò)程中，離子注入技術(shù)用于形成晶體管的源極、漏極和溝道等關(guān)鍵區(qū)域，以及實(shí)現(xiàn)電路的隔離和互聯(lián)。

2. 金屬材料表面改性：通過(guò)離子注入技術(shù)，可以在金屬材料表面形成一層具有特殊性能的改性層，如提高耐磨性、耐腐蝕性和硬度等。

3. 薄膜制備：離子注入技術(shù)還可以用于制備具有特定性能的薄膜材料，如超導(dǎo)薄膜、光學(xué)薄膜等。

3 設(shè)備特點(diǎn)

離子注入設(shè)備具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：

1. 精確控制：離子注入技術(shù)可以精確控制摻雜離子的種類(lèi)、數(shù)量、深度和橫向分布，滿(mǎn)足集成電路制造中對(duì)摻雜精度的要求。

2. 低溫處理：與傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散工藝相比，離子注入技術(shù)可以在較低的溫度下進(jìn)行，避免了高溫處理對(duì)半導(dǎo)體材料性能的影響。

3. 廣泛應(yīng)用：離子注入技術(shù)不僅應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，還擴(kuò)展到金屬材料表面改性、薄膜制備等多個(gè)領(lǐng)域。
   

4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn)：

基板尺寸：Max200mm

大能量：2400 keV

枚葉式

可對(duì)應(yīng)薄片Wafer

平行Beam