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12英寸立式低溫退火爐

簡(jiǎn)要描述:THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐,先進(jìn)的壓力控制系統(tǒng),高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):THEORIS A302L
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-05
  • 訪  問(wèn)  量: 384

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐,先進(jìn)的壓力控制系統(tǒng)。

2. 設(shè)備用途/原理

THEORIS A302L 12英寸立式低溫退火爐,先進(jìn)的壓力控制系統(tǒng),高精度溫度場(chǎng)控制技術(shù)先進(jìn)的顆??刂萍夹g(shù),可靠的氫氣工藝能力技術(shù)高產(chǎn)能。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 12 英寸,適用材料硅。適用工藝 低壓合金、金屬 / 非金屬退火、薄片退火適用域  新興應(yīng)用、集成電路、先進(jìn)封裝。退火爐是在半導(dǎo)體器件制造中使用的一種工藝,其包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理是針對(duì)不同的效果而設(shè)計(jì)的??梢约訜峋约せ顡诫s劑,將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面,使致密沉積的薄膜,改變生長(zhǎng)的薄膜的狀態(tài),修復(fù)注入的損傷,移動(dòng)摻雜劑或?qū)诫s劑從一個(gè)薄膜轉(zhuǎn)移到另一個(gè)薄膜或從薄膜進(jìn)入晶圓襯底。

退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中,例如氧化,或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導(dǎo)體晶片而設(shè)計(jì)的設(shè)備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐,超節(jié)能結(jié)構(gòu),采用纖維結(jié)構(gòu),節(jié)電60%。


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