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簡要描述:減薄機(jī) 簡介:1. 可根據(jù)客戶需求定制化各類工作臺,滿足各類半導(dǎo)體材料的研削薄化工藝2. 最大晶圓尺寸:8英寸3. 砂輪規(guī)格:Ø203(OD)mm4. 砂輪軸轉(zhuǎn)速范圍:0~6000 RPM5. 工作臺轉(zhuǎn)速:0~400 RPM6. Z軸行程:130mm7. Z軸進(jìn)給速度:0.1~1000 um /sec 可選配最小0.01um/sec8. 厚度在線測量分辨率:0.1um
產(chǎn)品分類
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1. 產(chǎn)品概述:
夢啟半導(dǎo)體的減薄機(jī)是一種用于半導(dǎo)體晶圓減薄的關(guān)鍵設(shè)備。它通過特定的磨削工藝,將已通過晶圓測試的晶圓背面的基體材料進(jìn)行精確磨削,使其達(dá)到工藝要求的目標(biāo)厚度。例如,能對硅晶圓、砷化鎵晶圓等進(jìn)行減薄處理,為后續(xù)的半導(dǎo)體制造工序如光刻、蝕刻、封裝等創(chuàng)造理想的晶圓厚度條件。
2. 設(shè)備應(yīng)用:
· 半導(dǎo)體制造:在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)流程中,是重要的前道工序設(shè)備。用于對晶圓進(jìn)行減薄處理,改善芯片散熱效果,并且減薄到一定厚度有利于后期的封裝工藝,對提升芯片的性能和成品率起到關(guān)鍵作用??蓱?yīng)用于邏輯芯片、存儲芯片等多種半導(dǎo)體芯片的制造。
· 新能源行業(yè):在一些新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件制造中,如碳化硅晶圓的減薄加工,以滿足新能源器件對半導(dǎo)體材料的特殊要求。
· 光電行業(yè):為光電元件的制造提供經(jīng)過減薄處理的半導(dǎo)體晶圓,有助于提高光電元件的性能和生產(chǎn)效率,如在激光器芯片、光學(xué)傳感器芯片的生產(chǎn)中有所應(yīng)用。
3. 設(shè)備特點:
· 高精度加工:能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的晶圓減薄,達(dá)到納米級甚至更高的厚度控制精度,確保晶圓表面的平整度和厚度均勻性,滿足半導(dǎo)體制造對晶圓質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。
· 先進(jìn)的技術(shù):經(jīng)過多年的自主研發(fā),在晶圓減薄技術(shù)方面達(dá)到國際水準(zhǔn),部分技術(shù)實現(xiàn)突破,可替代國外進(jìn)口設(shè)備。
· 設(shè)備穩(wěn)定性強:具備穩(wěn)定可靠的機(jī)械結(jié)構(gòu)和控制系統(tǒng),能夠在長時間的生產(chǎn)運行中保持穩(wěn)定的加工性能,減少設(shè)備故障和停機(jī)時間,提高生產(chǎn)效率。
· 操作便捷:擁有人性化的操作界面和控制系統(tǒng),方便操作人員進(jìn)行設(shè)備操作、參數(shù)設(shè)置和監(jiān)控,降低操作難度和培訓(xùn)成本。
· 廣泛的材料適應(yīng)性:不僅適用于常見的硅晶圓,還能對多種硬脆材料如藍(lán)寶石、碳化硅、砷化鎵、氮化鎵等進(jìn)行有效的減薄加工,滿足不同半導(dǎo)體材料的加工需求。
4. 產(chǎn)品參數(shù):
1. 可根據(jù)客戶需求定制化各類工作臺,滿足各類半導(dǎo)體材料的研削薄化工藝
2. 大晶圓尺寸:8英寸
3. 砂輪規(guī)格:?203(OD)mm
4. 砂輪軸轉(zhuǎn)速范圍:0~6000 RPM
5. 工作臺轉(zhuǎn)速:0~400 RPM
6. Z軸行程:130mm
7. Z軸進(jìn)給速度:0.1~1000 um /sec 可選配小0.01um/sec
8. 厚度在線測量分辨率:0.1um
9. 厚度在線測量重復(fù)精度:±0.001 mm
實際參數(shù)可能會因設(shè)備的具體配置和定制需求而有所不同。
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