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高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成，體現(xiàn)立方整體外觀，適用于超凈間間壁隔離安裝，操作面板一端處在相對(duì)要求較高超凈環(huán)境，其余部分（含低溫泵抽系統(tǒng)）處在相對(duì)要求較低超凈環(huán)境。 本系統(tǒng)配有一套電子槍及電源，可滿(mǎn)足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多種金屬

高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成，體現(xiàn)立方整體外觀，適用于超凈間間壁隔離安裝，操作面板一端處在相對(duì)要求較高超凈環(huán)境，其余部分（含低溫泵抽系統(tǒng)）處在相對(duì)要求較低超凈環(huán)境。

產(chǎn)品概述： 高真空電子束及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱阻蒸發(fā)組件、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、安裝機(jī)臺(tái)及電控系統(tǒng)等部分組成，自動(dòng)控制軟件系統(tǒng)。 設(shè)備用途： 電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料，比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快，制成的薄膜純度高、質(zhì)量好，厚度可以較準(zhǔn)確地控制，可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和導(dǎo)電玻璃等各種光學(xué)材料薄膜。

高真空熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)；真空測(cè)量系統(tǒng)；蒸發(fā)源；樣品加熱控溫；電控系統(tǒng)；配氣系統(tǒng)等部分組成。該系統(tǒng)可與手套箱對(duì)接。熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過(guò)對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過(guò)程?？稍诟哒婵障抡舭l(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。

產(chǎn)品概述： 高真空有機(jī)及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)；真空測(cè)量系統(tǒng)；蒸發(fā)源；樣品加熱控溫；電控系統(tǒng)；配氣系統(tǒng)等部分組成。 設(shè)備用途： 熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過(guò)對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過(guò)程。可在高真空下蒸發(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。

產(chǎn)品概述： 超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)由真空腔室（外延室、進(jìn)樣室）、樣品傳遞機(jī)構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、工作氣路、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制等各部分組成。 設(shè)備用途： 脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION，簡(jiǎn)稱(chēng)PLD)是新近發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)技術(shù)，繼20世紀(jì)80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導(dǎo)薄膜之后，它的優(yōu)點(diǎn)和潛力逐漸被人們認(rèn)識(shí)和重視。