1.產(chǎn)品概述：

系統(tǒng)由真空腔室（外延室、進(jìn)樣室）、樣品傳遞機(jī)構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、工作氣路、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制等各部分組成。

2.設(shè)備用途：

脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION，簡(jiǎn)稱PLD)是新近發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)技術(shù)，繼20世紀(jì)80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導(dǎo)薄膜之后，它的優(yōu)點(diǎn)和潛力逐漸被人們認(rèn)識(shí)和重視。該項(xiàng)技術(shù)在生成復(fù)雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結(jié)果。與常規(guī)的沉積技術(shù)相比，脈沖激光沉積的過程被認(rèn)為是“化學(xué)計(jì)量"的過程，因?yàn)樗菍械某煞洲D(zhuǎn)換成沉積薄膜，非常適合于沉積氧化物之類的復(fù)雜結(jié)構(gòu)材料。當(dāng)脈沖激光制備技術(shù)在難熔材料及多組分材料(如化合物半導(dǎo)體、電子陶瓷、超導(dǎo)材料)的精密薄膜，顯示出了誘人的應(yīng)用景。

3.真空室：

真空室結(jié)構(gòu):球形開門雙室

真空室尺寸:鍍膜室尺寸：Ф450mm ；進(jìn)樣室尺寸：Ф150x300mm

限真空度:鍍膜室≤6.0E-8Pa；進(jìn)樣室：≤6.0E-5Pa

沉積源:φ2英寸靶材，4個(gè)；或φ1英寸靶材，6個(gè)

樣品尺寸，溫度:φ2英寸，1片，高800℃

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約2.8米x1.3米x1.9米

電控描述:部分電動(dòng)控制

特色參數(shù) :配備高能電子衍射儀、氧等離子體發(fā)生器