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產(chǎn)品概述： 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。 設(shè)備用途： 高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積PECVD就是化學(xué)氣相沉積法，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。

高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由3個(gè)真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個(gè)進(jìn)樣室、1個(gè)中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺(tái)、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。

產(chǎn)品概述： 系統(tǒng)主要由3個(gè)真空沉積室（分別沉積P、I、N結(jié)）、1個(gè)進(jìn)樣室、1個(gè)中央傳輸室、平板式電極、基片加熱臺(tái)、工作氣路、傳送機(jī)械手、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。 設(shè)備用途： 團(tuán)簇型等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在光學(xué)玻璃、硅片、石英、不銹鋼片等不同襯底材料上，沉積氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧

高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。 本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。 設(shè)備用途： PECVD即是化學(xué)氣相沉積法，是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。

SENTECH SILAYO是一種用于光學(xué)鍍膜的等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）系統(tǒng)，擴(kuò)展了SENTECH PECVD和ALD產(chǎn)品組合。 SENTECH SILAYO PEALD 系統(tǒng)擴(kuò)展了 SENTECH ALD 和 PEALD 產(chǎn)品組合，可在 330 mm 基板和 3D 基板上進(jìn)行沉積。為了確保層厚具有出色的均勻性和保形性，PEALD用于沉積光學(xué)薄膜，例如，作為抗反射涂層或光學(xué)濾光片系統(tǒng)。

SENTECH True Remote CCP 源可在低溫下對(duì)敏感基材和層進(jìn)行均勻和保形涂層。在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體種類，而沒有紫外線輻射或離子轟擊。SENTECH 原子層沉積系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)熱和等離子體增強(qiáng)操作。我們的原子層沉積系統(tǒng)可以配置為氧化物、氮化物、二維材料沉積。3D結(jié)構(gòu)可以均勻和保形涂層。憑借 ALD、PECVD 和 ICPECVD，SENTECH 提供等離子體沉積技術(shù)，用于沉積