當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 3 CVD > PECVD高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積
簡要描述:高真空等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相薄膜沉積系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。設(shè)備用途:PECVD即是化學(xué)氣相沉積法,是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。
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產(chǎn)品概述:
系統(tǒng)主要由真空反應(yīng)室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。
本系統(tǒng)具有PECVD功能和熱絲CVD功能。
設(shè)備用途:
PECVD即是化學(xué)氣相沉積法,是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?;瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)材料的新技術(shù)?;瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制?;瘜W(xué)氣相淀積已成為無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域,PCEVD是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積英文的各個(gè)詞字母的字母。
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