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簡要描述:SENTECH True Remote CCP 源可在低溫下對敏感基材和層進(jìn)行均勻和保形涂層。在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體種類,而沒有紫外線輻射或離子轟擊。SENTECH 原子層沉積系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)熱和等離子體增強(qiáng)操作。我們的原子層沉積系統(tǒng)可以配置為氧化物、氮化物、二維材料沉積。3D結(jié)構(gòu)可以均勻和保形涂層。憑借 ALD、PECVD 和 ICPECVD,SENTECH 提供等離子體沉積技術(shù),用于沉積
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SENTECH SI PEALD系統(tǒng)具有真正的遠(yuǎn)程等離子體源,可在低溫<100°C)下對敏感基材和層進(jìn)行均勻和保形涂層的涂層。 在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體種類,而沒有紫外線輻射或離子轟擊。
原子層沉積技術(shù)的特點(diǎn)是能夠沉積保形和均勻的薄膜,并在原子水平上精確控制厚度,并繼續(xù)在半導(dǎo)體器件中發(fā)揮越來越大的作用,例如高介電原理材料的沉積。原子層沉積的一些主要應(yīng)用包括傳感器、光電子學(xué)和 2D 材料。
AL 實(shí)時(shí)監(jiān)測器的原位診斷可實(shí)現(xiàn)單個(gè) ALD 周期的超高分辨率。其優(yōu)點(diǎn)是確認(rèn)原子層沉積(ALD)制度,縮短處理時(shí)間,并降低總擁有成本。光譜橢圓偏振儀也作為原位診斷提供,為我們的原子層沉積系統(tǒng)具有特定的優(yōu)勢。
定期清潔反應(yīng)器對于穩(wěn)定和可重復(fù)的原子層沉積處理至關(guān)重要。在用于清潔我們的原子層沉積系統(tǒng)的提升裝置的幫助下,可以很容易地打開反應(yīng)器室。
原子層沉積系統(tǒng)可作為SENTECH集群工具的模塊使用。我們的原子層沉積系統(tǒng)可以與SENTECH PECVD和蝕刻系統(tǒng)結(jié)合使用,用于工業(yè)應(yīng)用。集群工具可選地具有盒到盒加載功能。
SENTECH ALD系統(tǒng)與不同供應(yīng)商的手套箱兼容。
SENTECH 原子層沉積系統(tǒng)允許將不同的熱和/或等離子體增強(qiáng)原子層沉積膜組合成多層結(jié)構(gòu)。熱和等離子體增強(qiáng)原子層沉積 (PEALD) 支持在一個(gè)具有最佳快門的反應(yīng)器中。
SENTECH使用AL實(shí)時(shí)監(jiān)測儀以及寬范圍光譜橢圓偏振儀,對逐層薄膜生長進(jìn)行的、超快速的原位監(jiān)測。
SENTECH 原子層沉積系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)熱和等離子體增強(qiáng)操作。我們的原子層沉積系統(tǒng)可以配置為氧化物、氮化物、二維材料沉積。3D結(jié)構(gòu)可以均勻和保形涂層。憑借 ALD、PECVD 和 ICPECVD,SENTECH 提供等離子體沉積技術(shù),用于沉積納米級至幾微米的薄膜。
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