當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 2 PVD > NEXUS IBD-LDD離子束沉積設(shè)備
簡(jiǎn)要描述:光掩模制造需要高水平的顆??刂疲瑫r(shí)沉積復(fù)雜的多層薄膜結(jié)構(gòu)。Veeco 的 Nexus IBD-LDD 離子束沉積系統(tǒng)可以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。自 1990 年代以來(lái),Veeco 已成功服務(wù)于光掩模市場(chǎng),多年的學(xué)習(xí)造就了當(dāng)今先進(jìn)的系統(tǒng)。IBD-LDD 系統(tǒng)是當(dāng)今 EUV 掩模坯料上的鉬 (Mo) 和硅 (Si) 多層沉積和釕 (Ru) 封端層沉積的理想選擇,以及其他需要低缺陷水平和先進(jìn)薄膜的掩模應(yīng)用。
產(chǎn)品分類(lèi)
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1.產(chǎn)品概述:
NEXUSIBD-LDD是由VEECCO研發(fā)的離子束沉積設(shè)備,VEECCO憑借25年來(lái)在離子束產(chǎn)品域建立導(dǎo)地位,實(shí)現(xiàn)當(dāng)下無(wú)缺陷的EUV掩模空白。
2.產(chǎn)品工藝:
光掩模制造需要高水平的顆??刂?,同時(shí)沉積復(fù)雜的多層薄膜結(jié)構(gòu)。Veeco的NexusIBD-LDD離子束沉積系統(tǒng)可以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。自1990年代以來(lái),Veeco已成功服務(wù)于光掩模市場(chǎng),多年的學(xué)習(xí)造就了當(dāng)先進(jìn)的系統(tǒng)。IBD-LDD系統(tǒng)是當(dāng)EUV掩模坯料上的鉬(Mo)和硅(Si)多層沉積和釕(Ru)封端層沉積的理想選擇,以及其他需要低缺陷水平和先進(jìn)薄膜的掩模應(yīng)用。
3.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):
經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的平臺(tái)
低的缺陷密度
優(yōu)異的均勻性和可重復(fù)性
高反射率
在同一腔室中沉積多種材料
可以集成到其他過(guò)程模塊中,集成到集群工具中
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