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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  1 光刻設(shè)備  >  KS-CF300/200-8SR全自動(dòng)SCRUBBER清洗機(jī)

全自動(dòng)SCRUBBER清洗機(jī)

簡(jiǎn)要描述:清洗機(jī)可以用于對(duì)晶圓表面,背面及晶圓邊緣的清洗,通過(guò)創(chuàng)新研發(fā)的二流體噴嘴技術(shù)可將附著在晶圓表面的細(xì)微顆粒污染物去除,實(shí)現(xiàn)高效去除。通過(guò)大量仿真與工藝試驗(yàn)相結(jié)合,優(yōu)化出最佳的清洗工藝參數(shù),確保不損傷晶圓表面的圖形;對(duì)于微米級(jí)別大顆粒,采用特殊材料的毛刷或高壓噴淋對(duì)晶圓進(jìn)行擦洗去除。配合晶圓翻轉(zhuǎn)裝置和夾持式承片臺(tái),可在同一臺(tái)設(shè)備中實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓的正反兩面進(jìn)行清洗。

  • 產(chǎn)品型號(hào):KS-CF300/200-8SR
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-06
  • 訪  問(wèn)  量: 211

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

該清洗機(jī)設(shè)計(jì)得精密而高效,能夠全面滿足對(duì)晶圓表面、背面及邊緣的清洗需求。借助于創(chuàng)新研發(fā)的二流體噴嘴技術(shù),該設(shè)備能效率去除附著在晶圓表面的微小顆粒污染物。這一技術(shù)的突破使得清洗過(guò)程不僅迅速,確保晶圓在進(jìn)入下一工序之前達(dá)到預(yù)期的潔凈度。

為了實(shí)現(xiàn)最佳清洗效果,工程師們通過(guò)大量仿真試驗(yàn)與實(shí)際工藝實(shí)驗(yàn)相結(jié)合,優(yōu)化了清洗工藝的各項(xiàng)參數(shù)。這種科學(xué)的調(diào)試過(guò)程能夠精確控制清洗強(qiáng)度和時(shí)間,有效避免對(duì)晶圓表面圖形造成潛在損傷,確保精密制造的需求得以滿足。

針對(duì)微米級(jí)別的大顆粒污染物,清洗機(jī)配置了采用特殊材料制成的毛刷和高壓噴淋裝置,通過(guò)物理刷洗與高壓水流相結(jié)合的方式,有效去除附著在晶圓表面的頑固污垢。這種多方位的清洗手段,使得清洗過(guò)程變得更為高效和全面。

2. 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

機(jī)臺(tái)可采用防靜電管路,防止水中靜電荷到達(dá)晶圓表面,對(duì)圖形造成破壞
翻轉(zhuǎn)單元接觸點(diǎn)少,減小了與晶圓的接觸面積
所有表都為數(shù)字顯示,數(shù)據(jù)上傳工控機(jī)方便追溯
機(jī)臺(tái)優(yōu)化傳輸路徑,產(chǎn)能大幅提升
軟件客制化,界面友好,可按照客戶要求更改
更高效的FFU
售后服務(wù):響應(yīng)快,當(dāng)?shù)伛v廠服務(wù)(7X24小時(shí))
支持工廠自動(dòng)化

3. 應(yīng)用域:

晶片爐管后清洗
化學(xué)氣相沉積(CVD)后的清洗
物理氣相沉積(PVD)后的清洗
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后的清洗,后段干法刻蝕后的清洗

特殊工藝要求晶圓背部及晶圓邊緣的清洗




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