當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > Ionfab 300 IBE離子束刻蝕系統(tǒng)IBE
簡(jiǎn)要描述:離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng),包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào),以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。
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1. 產(chǎn)品概述
離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng),包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào),以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。百科:?離子束刻蝕系統(tǒng)(IBE)是一種物理刻蝕技術(shù),利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子,并通過陽(yáng)極電場(chǎng)加速的離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行物理轟擊,以達(dá)到刻蝕的目的。?離子束刻蝕(IBE),也稱為離子銑(Ion Beam Milling),是一種具有強(qiáng)方向性的物理刻蝕機(jī)理,能夠產(chǎn)生各向異性刻蝕,適用于小尺寸圖形的加工。
2. 設(shè)備特點(diǎn)
磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM);
介電薄膜;
III-V族光電子材料刻蝕;
自旋電子學(xué);
金屬電極和軌道;
超導(dǎo)體;
激光端面鍍膜;
高反射(HR)膜;
防反射(AR)膜;
環(huán)形激光陀螺反射鏡;
X射線光學(xué)系統(tǒng);
紅外(IR)傳感器;
II-VI族材料;
通信濾波器。
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