當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > customized-14深硅刻蝕系統(tǒng)DEEP SI ETCH
簡要描述:提供深硅蝕刻(DSiE)領(lǐng)域的MEMS,封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用,從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕,不需要更換腔室硬件就可以實現(xiàn)。
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1. 產(chǎn)品概述
提供深硅蝕刻(DSiE)領(lǐng)域的MEMS,封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用,從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕,不需要更換腔室硬件就可以實現(xiàn)。百科:深硅刻蝕系統(tǒng)的原理既包括利用等離子體中的活性粒子進行物理和化學(xué)作用的等離子體刻蝕技術(shù),也包括通過化學(xué)反應(yīng)去除材料的濕法刻蝕技術(shù)。
2. 設(shè)備特點
光滑側(cè)壁工藝;
高刻蝕速率腔刻蝕;
高深寬比工藝;
錐形通孔刻蝕;
機械或靜電壓盤,加熱內(nèi)襯;
延長了兩次清洗間的平均時間間隔(MTBC)環(huán)形激光陀螺反射鏡;
X射線光學(xué)系統(tǒng);
紅外(IR)傳感器;
II-VI族材料,通信濾波器。
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