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MS450高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備詳細組成及功能如下： 真空室：提供高真空環(huán)境，確保鍍膜過程的純凈性。 濺射靶槍：用于安裝濺射靶材，通過高能粒子轟擊靶材表面，使靶材原子或分子濺射出來并沉積在樣品上形成薄膜。 濺射電源：為濺射靶槍提供所需的電能，控制濺射過程的穩(wěn)定性和效率。 加熱樣品臺：用于加熱樣品，以改善薄膜的附著力和結(jié)晶質(zhì)量。 流量控制系統(tǒng)：精確控制鍍膜過程中所需氣體的流量，確保鍍膜成分的準確性

ELS-BODEN Σ這是ELONIX自創(chuàng)業(yè)以來多年來一直致力于開發(fā)的新型號的電子束光刻機。 采用模塊系統(tǒng)，可以自由組合加速電壓、腔室尺寸、傳輸機構(gòu)和防振臺，為每個應(yīng)用構(gòu)建佳單元。

Riber分子束外延系統(tǒng)的 multi 4“ / 6” MBE 6000 是全球每個成功的大批量商家或內(nèi)部 epi 操作的核心。它是高通量和可重復(fù)性的MBE基準?；顒訒r間通常超過一年，這證明了反應(yīng)堆的穩(wěn)定性和可靠性。沒有比Riber的新客戶和長期客戶重復(fù)下訂單更有力的認可了。有許多晶圓廠配備了 2 – 8 個 MBE 6000,24 / 7 并排運行。最初，系統(tǒng)主要用于制造大量微波器件材料。

Beneq C2R 將等離子體增強原子層沉積 （PEALD） 工藝提升到一個全新的水平 – PEALD 可用于大批量生產(chǎn)。由于采用等離子體增強旋轉(zhuǎn)原子層沉積工藝，Beneq C2R 是厚原子層沉積膜的理想選擇，甚至可達幾微米。

分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE49全自動生產(chǎn)機器為材料質(zhì)量、產(chǎn)量、產(chǎn)量以及與操作和維護相關(guān)的成本設(shè)定了行業(yè)標準。超過55個這樣的系統(tǒng)已經(jīng)在全球范圍內(nèi)交付，他們?yōu)榭蛻魩淼某晒κ乖撓盗蟹磻?yīng)器獲得了廣泛持有和當之無愧的聲譽，因為它使新的化合物半導體器件技術(shù)的商業(yè)化能夠在其他地方的范圍和規(guī)模上實現(xiàn)商業(yè)化。且有四個反應(yīng)器，專門設(shè)計用于沉積砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。

RIBER分子束外延4 英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)正受到越來越多與工業(yè)合作伙伴合作開展應(yīng)用項目的關(guān)鍵研究機構(gòu)的關(guān)注。 這種興趣的增加部分歸因于 4 英寸（或 3 x 2 英寸）容量在這種類型的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系中受到青睞，在這些合作伙伴關(guān)系中，成功的里程碑基于設(shè)備演示和合格的試生產(chǎn)運行。 無論材料系統(tǒng)如何，412 都具有全自動樣品轉(zhuǎn)移、12 個源端口的靈活性和可重復(fù)的晶圓廠質(zhì)量 ，專為實現(xiàn)這些目標而設(shè)計。