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簡(jiǎn)要描述:MS450高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備詳細(xì)組成及功能如下:真空室:提供高真空環(huán)境,確保鍍膜過(guò)程的純凈性。濺射靶槍:用于安裝濺射靶材,通過(guò)高能粒子轟擊靶材表面,使靶材原子或分子濺射出來(lái)并沉積在樣品上形成薄膜。濺射電源:為濺射靶槍提供所需的電能,控制濺射過(guò)程的穩(wěn)定性和效率。加熱樣品臺(tái):用于加熱樣品,以改善薄膜的附著力和結(jié)晶質(zhì)量。流量控制系統(tǒng):精確控制鍍膜過(guò)程中所需氣體的流量,確保鍍膜成分的準(zhǔn)確性
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1.產(chǎn)品概述
MS450多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)由沈陽(yáng)科友儀器等制造商生產(chǎn),是一款集高真空、多靶材、磁控濺射技術(shù)于一體的鍍膜設(shè)備。該系統(tǒng)能夠在所需基材上沉積多種類型的涂層,包括耐磨損涂層、自潤(rùn)滑涂層、抗腐蝕涂層、抗高溫氧化涂層、透明導(dǎo)電涂層等,廣泛應(yīng)用于高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)型企業(yè)期探索性實(shí)驗(yàn)及開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品等。
2.產(chǎn)品組成
MS450多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)主要由以下幾個(gè)部分組成:
真空室:提供高真空環(huán)境,確保鍍膜過(guò)程中的氣體分子干擾小化。
濺射靶槍:內(nèi)置多種靶材,如金屬、陶瓷等,通過(guò)磁控濺射技術(shù)將靶材原子濺射到基材表面。
濺射電源:提供穩(wěn)定的電源供應(yīng),支持直流(DC)、中頻(MF)、射頻(RF)等多種濺射模式。
加熱樣品臺(tái):用于加熱基材,提高鍍膜質(zhì)量和附著力。
流量控制系統(tǒng):精確控制工藝氣體的流量和壓強(qiáng),確保鍍膜過(guò)程的穩(wěn)定性和可控性。
真空獲得系統(tǒng):包括真空泵等組件,用于將真空室抽至高真空狀態(tài)。
真空測(cè)量系統(tǒng):實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)真空室內(nèi)的氣體壓力等參數(shù)。
氣路系統(tǒng):用于向真空室內(nèi)通入工藝氣體,如氬氣等。
PLC+觸摸屏自動(dòng)控制系統(tǒng):實(shí)現(xiàn)設(shè)備的自動(dòng)化控制和操作,提高工作效率和鍍膜質(zhì)量。
3.工作原理
MS450多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的工作原理基于磁控濺射技術(shù)。在鍍膜過(guò)程中,電子在電場(chǎng)的作用下飛向基片,并與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子。Ar正離子在電場(chǎng)的作用下加速飛向陰靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。濺射出的靶原子或分子在基片表面沉積成膜。同時(shí),二次電子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下產(chǎn)生E×B漂移,被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),電離出更多的Ar正離子來(lái)轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)高的沉積速率。
4.技術(shù)特點(diǎn)
多靶材選擇:支持多種靶材的濺射鍍膜,滿足不同材料的鍍膜需求。
高真空環(huán)境:提供高真空環(huán)境,確保鍍膜過(guò)程的穩(wěn)定性和鍍膜質(zhì)量。
高精度控制:通過(guò)PLC+觸摸屏自動(dòng)控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)設(shè)備的精確控制和操作。
高沉積速率:利用磁控濺射技術(shù)實(shí)現(xiàn)高的沉積速率和均勻的膜層質(zhì)量。
廣泛適用性:適用于金屬、陶瓷、玻璃等多種基材的鍍膜處理。
5.應(yīng)用域
MS450多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于以下域:
材料科學(xué):用于開(kāi)發(fā)納米單層、多層及復(fù)合膜層等新型材料。
電子工程:制備金屬膜、合金膜、半導(dǎo)體膜等電子材料,應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、OLED等域。
工業(yè)生產(chǎn):在汽車零部件、航空航天器件等域制備耐磨損、抗腐蝕等高性能涂層。
綜上所述,MS450多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)以其先進(jìn)的技術(shù)特點(diǎn)和廣泛的應(yīng)用域,在材料科學(xué)和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著重要作用。
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