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研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設備NLD-570 研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設備NLD-570,是搭載了愛發(fā)科磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的裝置,此NLD技術可實現(xiàn)產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。
高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H 高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料(強電介質層、貴金屬、磁性膜等)的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設備。
量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800 量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備。
RIE-1C是用于半導體芯片故障分析的緊湊型刻蝕設備??梢愿咝?、低損傷地去除鈍化膜。它操作簡單,樣品放置后只需按一下按鈕就可以完成整個過程??梢苑旁谧烂嫔希部梢赃x擇用支架。
RIE-300NR是一種理想的RIE等離子刻蝕設備,適用于加工ø300mm晶圓和多晶圓(ø3“×12,ø4“×8等),具有優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)的設計旨在大限度地減少工廠空間需求,提高產量,大限度地延長正常運行時間,并通過可靠的硬件和便捷的服務降低擁有成本。