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簡要描述:Kurt J. Lesker Company LAB Line UHV 磁控濺射鍍膜設(shè)備專為磁控濺射沉積應(yīng)用而設(shè)計。為滿足 UHV 濺射工藝需求而定制的腔室設(shè)計、具有高級編程、負載鎖定功能的行業(yè)最佳軟件控制系統(tǒng)以及用于優(yōu)化薄膜性能的眾多功能是這種創(chuàng)新設(shè)計提供的一些優(yōu)勢。®
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Kurt J. Lesker Company LAB Line UHV 濺射平臺專為磁控濺射沉積應(yīng)用而設(shè)計。為滿足 UHV 濺射工藝需求而定制的腔室設(shè)計、具有高級編程、負載鎖定功能的行業(yè)最佳軟件控制系統(tǒng)以及用于優(yōu)化薄膜性能的眾多功能是這種創(chuàng)新設(shè)計提供的一些優(yōu)勢。®
LAB Line 系列與以下技術(shù)兼容:
TORUS 磁控濺射(多達 12 個光源)®
可根據(jù)要求提供定制配置
KJLC創(chuàng)新的eKLipse™軟件允許用戶友好的配方創(chuàng)建以及圖形用戶界面,該界面對于新的PVD用戶來說是直觀的,而對于經(jīng)驗豐富的專業(yè)人士來說則是高級的。有關(guān)此直觀、可靠的軟件包的更多信息,請參閱“軟件"選項卡。
R&D 濺射沉積
微電子學(xué)(金屬、金屬氧化物、電介質(zhì))
數(shù)據(jù)存儲(磁性薄膜)
磁性隧道結(jié)
超導(dǎo)材料
約瑟夫森交界處
光學(xué)薄膜和光子學(xué)
LAB Line 是 Kurt J. Lesker 的 UHV 磁控濺射平臺。
只有 KJLC 提供 Mag-Keeper 濺射源,該濺射源在陰極體中具有零 O 形圈和磁耦合靶材,可輕松更換靶材。我們的冷卻井設(shè)計可在高達 200 瓦/英寸的功率密度下運行2.該陰極設(shè)計用于濺射厚達 0.375 英寸的目標。如果沒有壓緊夾或暗空間屏蔽,這種陰極能夠運行低至 1mTorr(取決于材料)。圓頂百葉窗設(shè)計消除了標準翻轉(zhuǎn)或擺動百葉窗所需的額外交叉污染屏蔽需求。
單擊以了解有關(guān)濺射速率和均勻性的更多信息。
LAB Line 專為實現(xiàn)最佳均勻性而設(shè)計,并允許。左邊的圖表顯示了按沉積類型和襯底晶圓直徑劃分的平均預(yù)期均勻性。使用輪廓儀或光譜反射儀進行厚度測量。實際可實現(xiàn)的均勻性將取決于系統(tǒng)和過程參數(shù)的最終配置。
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