當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 3 CVD > SENTECH Depolab 200開蓋等離子體沉積系統(tǒng)PECVD
簡要描述:SENTECH Depolab 200 是基本的等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng),適用于沉積用于蝕刻掩模、膜和電隔離膜以及許多其他材料的介電膜。
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1. 產(chǎn)品概述
SENTECH Depolab 200 是基本的等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng),適用于沉積用于蝕刻掩模、膜和電隔離膜以及許多其他材料的介電膜。結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計的優(yōu)點和靈活的直接加載設(shè)計。從 2 英寸至 200 毫米晶圓和樣品片的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用開始。
2. 成本效益
該系統(tǒng)將平行板等離子體源設(shè)計與直接負(fù)載相結(jié)合。
3. 可升級性
根據(jù)其模塊化設(shè)計,SENTECH Depolab 200 可升級為更大的泵送裝置、用于應(yīng)力控制的低頻電源和額外的燃?xì)夤芫€。
4. 操作軟件
用戶友好的強大軟件包含在 GUI、參數(shù)窗口、配方編輯器、數(shù)據(jù)記錄和用戶管理中。
5. 靈活性和模塊化
SENTECH Depolab 200 PECVD 系統(tǒng)配置為在高達(dá) 400 °C 的溫度范圍內(nèi)沉積 SiO2、SiNx、SiONx 和 a-Si 薄膜。 該系統(tǒng)特別適用于用于蝕刻掩模、膜、電隔離膜等的介電膜沉積。
SENTECH Depolab 200 由先進(jìn)的硬件和 SIA 操作軟件控制,具有客戶端-服務(wù)器架構(gòu)。一個經(jīng)過充分驗證的可靠可編程邏輯控制器(PLC)用于所有組件的實時控制。
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