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當(dāng)前位置：首頁  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  5 刻蝕設(shè)備  >  Pishow® D 系列8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設(shè)備

8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設(shè)備

簡要描述：Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備，是針對(duì)8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。
提供Si Bosch工藝的解決方案。
該設(shè)備高性價(jià)比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能升級(jí)。

  • 產(chǎn)品型號(hào)：Pishow® D 系列
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間：2024-09-04
  • 訪  問  量： 183

詳細(xì)介紹

8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕（ICP-DSE）設(shè)備

1. 詳細(xì)介紹

Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備，是針對(duì)8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。
提供Si Bosch工藝的解決方案。

該設(shè)備高性價(jià)比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能升。

2. 系統(tǒng)特性

Pishow® D 系列是采用深硅刻蝕技術(shù)的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備

提供Bosch解決方案，實(shí)現(xiàn)對(duì)Si的高深寬比刻蝕

優(yōu)化的氣柜設(shè)計(jì)，縮短進(jìn)氣距離，短工藝切換時(shí)間小于1.0

Pishow® D 系列可選擇8~4英寸晶圓，提供單腔式和多腔式等多種腔室搭配方式




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