8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

簡(jiǎn)要描述：詳細(xì)介紹
ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的8英寸電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。具有刻蝕快、選擇比高、各項(xiàng)異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點(diǎn)。目前被廣泛應(yīng)用于Si、SiO2、SiNx、金屬、III-V族化合物等材料的刻蝕?？蓱?yīng)用于大規(guī)模集成電路、MEMS、光波導(dǎo)、光電子器件等領(lǐng)域中各種微結(jié)構(gòu)的制作。

產(chǎn)品型號(hào)：Pishow® A 系列
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間：2024-09-04
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Pishow® A 系列

8英寸電感耦合等離子體刻蝕（ICP）設(shè)備

1. 詳細(xì)介紹

ICP是一種加工微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。具有刻蝕快、選擇比高、各項(xiàng)異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點(diǎn)。目被廣泛應(yīng)用于Si、SiO2、SiNx、金屬、III-V族化合物等材料的刻蝕。可應(yīng)用于大規(guī)模集成電路、MEMS、光波導(dǎo)、光電子器件等域中各種微結(jié)構(gòu)的制作。

2. 系統(tǒng)特性

擁有多種材料刻蝕解決方案，包括硅基材料、金屬、III-V和其他化合物半導(dǎo)體

可提供高低溫（-10℃至+150℃）工藝模式

可提供ALE解決方案，實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕速率和均勻性的高精度控制

具備Bosch工藝能力，可提供高深寬比硅深槽或深孔刻蝕解決方案

適用于8英寸晶圓，并可向下兼容，提供單腔式和多腔式等多種腔室搭配方式

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