當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 2 PVD > PVD400高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
簡要描述:產(chǎn)品概述:高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途:用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。
產(chǎn)品分類
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1.產(chǎn)品概述:
本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu),采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。
2.設(shè)備用途:
用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。
3.真空室:
真空室結(jié)構(gòu):方形開門
真空室尺寸:φ400x400x400mm
限真空度:≤6.6E-5Pa
沉積源:永磁靶3套,φ2英寸
樣品尺寸,溫度:φ4英寸,1片,高800℃
樣品臺(tái):擁有可旋轉(zhuǎn)或者可移動(dòng)的樣品臺(tái),以便均勻的沉積薄膜。
占地面積(長x寬x高):約1.8米×1.7米×2米
電控描述:全自動(dòng)采用先進(jìn)的控制系統(tǒng),方便用戶設(shè)置和調(diào)整工藝參數(shù),如蒸發(fā)溫度、沉積時(shí)間等。
工藝:片內(nèi)膜厚均勻性:≤±3%
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