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當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > RIE-230iP等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
簡要描述：RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備高速進行各種材料的超精細加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風(fēng)式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進行高精度的各向異性蝕刻。
產(chǎn)品型號：RIE-230iP廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2024-09-06訪 問 量： 225產(chǎn)品分類
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1. 產(chǎn)品概述
RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進行各種材料的超精細加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用的龍卷風(fēng)式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，可對硅及各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體進行高精度的各向異性蝕刻。此外，?230mm的托盤可同時處理多種化合物半導(dǎo)體。
2. 設(shè)備用途/原理
GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的高精度加工。鐵電材料、電材料等難蝕材料的加工。
3. 設(shè)備特點
龍卷風(fēng)線圈電，它能有效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體，使蝕刻具有高選擇性、高精度和良好的均勻性。低損傷工藝，通過ICP產(chǎn)生高密度的等離子體，實現(xiàn)了低偏置、低損傷的工藝。溫度控制，電調(diào)和He冷卻的平臺和反應(yīng)室內(nèi)側(cè)壁的溫度控制使蝕刻在穩(wěn)定的條件下進行。
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