當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 5 刻蝕設(shè)備 > RIE-230iPC等離子體(ICP) 刻蝕設(shè)備
簡要描述:RIE-230iPC是以電感耦合等離子體為放電方式,高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的盒式ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風(fēng)式線圈電,高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,實現(xiàn)了對硅、各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體的高精度各向異性蝕刻。此外,ø230mm的托盤可同時處理多種化合物半導(dǎo)體。
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1、公司介紹
ICP-RIE等離子體蝕刻設(shè)備 RIE-230iPC
量產(chǎn)設(shè)備
RIE-230iPC是以電感耦合等離子體為放電方式,高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的盒式ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風(fēng)式線圈電,高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,實現(xiàn)了對硅、各種金屬薄膜和化合物半導(dǎo)體的高精度各向異性蝕刻。此外,?230mm的托盤可同時處理多種化合物半導(dǎo)體。
龍卷風(fēng)線圈電
它能有效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子體,使蝕刻具有高選擇性、高精度和良好的均勻性。
低損傷工藝
通過ICP產(chǎn)生高密度的等離子體,實現(xiàn)了低偏置、低損傷的工藝。
溫度控制
電調(diào)和He冷卻的平臺和反應(yīng)室內(nèi)側(cè)壁的溫度控制使蝕刻在穩(wěn)定的條件下進(jìn)行
GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的高精度加工。
鐵電材料和電材料的加工。
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