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1、Nikon SF120/130步進式光刻機 光源波長365nm 分辨率優(yōu)于0.28µm 主要用于6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產(chǎn)品詳情 主要技術指標 分辨率0.28µm N.A.0.62 曝光光源365nm 倍率4:1 最大曝光現(xiàn)場25mm*33mm 對準精度LSA：40nm FIA：45nm

1、Nikon NSR 2205i14E步進式光刻機 光源波長365nm 分辨率優(yōu)于0.35µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線， 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產(chǎn)品詳情 主要技術指標 分辨率0.35µm N.A.0.63 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光現(xiàn)場22mm*22mm 對準精度 LSA：55nm FIA：65nm

1、Nikon NSR 2205i12D步進式光刻機 光源波長365nm 分辨率優(yōu)于0.4µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產(chǎn)品詳情 主要技術指標 分辨率0.4µm N.A.0.63 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光現(xiàn)場 22mm*22mm 對準精度 LSA：60nm FIA：70nm

1、Nikon NSR 2205i11D步進式光刻機 光源波長365nm 分辨率優(yōu)于0.4µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產(chǎn)品詳情 主要技術指標 分辨率0.4µm N.A.0.63 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光現(xiàn)場22mm*22mm 對準精度 LSA：75nm FIA：80nm

1、Nikon NSR 2005i10C步進式光刻機 光源波長365nm 分辨率優(yōu)于0.45µm 主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產(chǎn)品詳情 主要技術指標 分辨率0.45µm N.A.0.57 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光現(xiàn)場20mm*20mm 對準精度 LSA：100nm FIA：110nm

1、Nikon NSR 2005i9C步進式光刻機 光源波長365nm 分辨率優(yōu)于0.45µm 用于2寸、4寸、6寸、8寸生產(chǎn)線 廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等領域 2、產(chǎn)品詳情 主要技術指標 分辨率0.45µm N.A.0.57 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光現(xiàn)場20mm*20mm 對準精度 LSA：120nm FIA：130nm