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PlasmaPro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強化學氣相沉積 （PECVD） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開放式裝載系統(tǒng)?？蓪崿F(xiàn)大型晶圓大規(guī)模的批量生產(chǎn)和 300mm 晶圓處理。

設(shè)計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。 PlasmaPro 100 PECVD 由于電極溫度均勻性和電極中的噴淋頭設(shè)計，可提供出色的保形沉積和低顆粒生成，允許射頻能量產(chǎn)生等離子體。等離子體的高能反應(yīng)性物質(zhì)提供高沉積速率，以達到所需的基板厚度，同時保持低壓。其雙頻 13.56MHz 和 100KHz 功率應(yīng)

AE物理氣相沉積平臺Nexdep PVD在經(jīng)濟性和多功能性之間取得了平衡。它可以配備強大的工藝增強功能，而不會占用實驗室的所有空間或預算。您的研究目標、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用最終目標將告知如何裝備您的 Nexdep PVD 平臺。

該ICPCVD工藝模塊設(shè)計用于在低生長溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過高密度遠程等離子體實現(xiàn)，從而實現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時減少基板損傷。

憑借在蝕刻GaN，SiC和藍寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗，我們的技術(shù)既能夠滿足性價比的要求、又能使器件的性能得到更優(yōu)化。 PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)為得到更為精細的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業(yè)中能保持競爭優(yōu)勢。

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝，適用于最大尺寸為200毫米的晶圓，支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個市場領(lǐng)域。