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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  3 CVD  >  ALD-150LE™原子層沉積ALD

原子層沉積ALD

簡(jiǎn)要描述:Kurt J. Lesker Company (KJLC) ALD150LE™是我們但極其靈活的原子層沉積 (ALD) 系統(tǒng),專為入門級(jí)到中級(jí)用戶而設(shè)計(jì)。該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,工藝室設(shè)計(jì)促進(jìn)了均勻的母離子分散和輸送。加熱和溫度控制進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)性能??傮w而言,該ALD150LE™在緊湊的設(shè)計(jì)中提供了的靈活性和性能,而不會(huì)犧牲可維護(hù)性。

  • 產(chǎn)品型號(hào):ALD-150LE™
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-06
  • 訪  問(wèn)  量: 238

詳細(xì)介紹

Kurt J. Lesker Company (KJLC) ALD150LE™是我們但極其靈活的原子層沉積 (ALD) 系統(tǒng),專為入門級(jí)到中級(jí)用戶而設(shè)計(jì)。該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,工藝室設(shè)計(jì)促進(jìn)了均勻的母離子分散和輸送。加熱和溫度控制進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)性能??傮w而言,該ALD150LE™在緊湊的設(shè)計(jì)中提供了的靈活性和性能,而不會(huì)犧牲可維護(hù)性。

該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,我們的垂直流設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)分離、均勻的前驅(qū)體輸送,同時(shí)降低背景雜質(zhì)水平,從而提高薄膜質(zhì)量。為避免不必要的材料在輸送通道內(nèi)積聚和顆粒形成,有兩個(gè)獨(dú)立的腔室入口可用于前驅(qū)體分離。例如,可以使用單獨(dú)的入口來(lái)分離金屬有機(jī)前體和共反應(yīng)物,以防止在輸送管線和閥門中沉積。

  • 兩個(gè)獨(dú)立的進(jìn)樣口,用于前驅(qū)體輸送,可防止輸送通道中不必要的積聚

  • 開(kāi)放式裝載室經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),可最大限度地減少由于密封脫氣和滲透引起的背景雜質(zhì)

  • 獨(dú)立的基板加熱器平臺(tái)和外腔殼體,可實(shí)現(xiàn)出色的溫度控制和均勻性

  • 304L不銹鋼結(jié)構(gòu)

  • 可訪問(wèn)、低維護(hù)的設(shè)計(jì)

ALD150LE™開(kāi)路負(fù)載設(shè)計(jì)允許在樣品引入過(guò)程中將基物(直徑最大為 150 mm)直接放置在基板加熱器臺(tái)上。在隨后的原子層沉積(ALD)處理過(guò)程中,集中式母離子輸送和泵送建立了一個(gè)屏障,將下游腔室密封的雜質(zhì)擋在反應(yīng)區(qū)之外。彈性體腔密封件在下游的戰(zhàn)略定位可使雜質(zhì)(由于密封件釋氣和滲透)遠(yuǎn)離基材表面,從而提高 ALD 薄膜質(zhì)量。特別是,這是在開(kāi)放式負(fù)載室設(shè)計(jì)中獲得高質(zhì)量氮化物膜的一個(gè)重要特征。



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