簡要描述:產品概述:高真空磁控濺射與離子束復合薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結構,采用可行軟件控制系統(tǒng)。設備用途:用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研項目。
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1.產品概述:
高真空磁控濺射與離子束復合薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學薄膜、電學薄膜、磁性薄膜、硬質保護薄膜和裝飾薄膜等,工藝性能穩(wěn)定、模塊化結構,采用行業(yè)先的軟件控制系統(tǒng),用于納米單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項目。
2.產品工藝:
真空室結構:圓筒形上升蓋
真空室尺寸:φ550x450mm
限真空度:≤6.0E-5Pa
沉積源:磁控靶3套,φ2英寸;
四工位轉靶1套;
樣品尺寸,溫度:φ2英寸,6片。高可以到達800℃
占地面積(長x寬x高):約3米×1.1米×2米
電控描述:全自動控制
工藝:片內膜厚均勻性:≤±3%
濺射源:考夫曼離子源 Kaufman 2套,φ2英寸
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