1.產(chǎn)品概述：

本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。可通過(guò)直流濺射及射頻濺射方式鍍膜，能制備各種金屬、合金薄膜、非金屬薄膜、化合物薄膜等?？蔀R射材料廣泛，包括各種金屬、合物薄膜、非金屬薄膜、化合物薄膜等。濺射模式多樣，例如直流濺射、反應(yīng)濺射、斜靶共濺射等。采用計(jì)算機(jī)控制，具有液晶顯示屏、鼠標(biāo)鍵盤操作，windows 會(huì)話界面，操作簡(jiǎn)便，并支持自動(dòng)控制和手動(dòng)控制兩種方式，可實(shí)現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過(guò)程的全自動(dòng)化操作。

2.設(shè)備用途：

用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目

3.真空室

真空室結(jié)構(gòu):六邊形側(cè)開門

真空室尺寸:φ350x370mm

限真空度:≤6.0E-4Pa

沉積源:永磁靶1套，φ2英寸

樣品尺寸，溫度:φ2英寸，1片，高800℃

占地面積（長(zhǎng)x寬x高）:約1米x1米x1.9米

電控描述:手動(dòng)

工藝:片內(nèi)膜厚均勻性：≤±3%