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簡要描述:無掩模對光刻機 MLA 300 提供高吞吐量、簡化的工作流程以及與制造執(zhí)行系統(tǒng) (MES) 的集成。該工具用于生產(chǎn)傳感器和傳感器 IC、MEMS 和微流體器件。其他應(yīng)用包括分立電子元件、模擬和數(shù)字 IC、ASIC、電力電子、OLED 顯示器和先進封裝。
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1. 產(chǎn)品概述:
MLA 300 無掩模光刻機 提供高吞吐量、簡化的工作流程以及與制造執(zhí)行系統(tǒng) (MES) 的集成。該工具用于生產(chǎn)傳感器和傳感器 IC、MEMS 和微流體器件。其他應(yīng)用包括分立電子元件、模擬和數(shù)字 IC、ASIC、電力電子、OLED 顯示器和先進封裝。
MLA 300 可實現(xiàn)高的光學(xué)質(zhì)量和精度。標準曝光模塊的小特征尺寸為 1.5 μm。實現(xiàn)更高吞吐量和更高分辨率的寫入模式正在我們的路線圖上。MLA 300 具有自動化功能,具有可定制的裝載選項、為生產(chǎn)環(huán)境設(shè)計的軟件以及獲得基材跟蹤技術(shù)。
MLA 300 克服了口罩采購、驗證和管理的要求,從而降低了生產(chǎn)成本和工作量。長壽命曝光激光器(24/7 全天候生產(chǎn)估計為 10 年)和較少的耗材可提高運營成本。模塊化設(shè)計可實現(xiàn)快速維護、更換或維修。實時自動對焦可補償基材翹曲或波紋,確保無瑕的圖案。無掩模光刻技術(shù)允許對每個芯片進行圖案校正和序列化,以全面跟蹤產(chǎn)品特性,例如傳感器校準。
具體參數(shù) | |
---|---|
最小行數(shù)和間距 [μm] | 2 |
最小特征尺寸 [μm] | 1.5 |
CD均勻度 [3σ, nm] | 200 |
邊緣粗糙度 [3σ, nm] | 80 |
拼接 [3σ, nm] | 120 |
第 2 層對準 [3σ, nm] | 500 |
背面對準 [3σ, nm] | 1000 |
每個模塊的曝光時間(100 x 100 mm2 80 mJ/cm2 和 405 nm 激光波長) | 2.75 分鐘 |
一個模塊的最大寫入速度 405 nm 激光波長 | 4615 平方毫米/分鐘 |
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