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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備  >  5 刻蝕設(shè)備  >  RIE-200NLRIE等離子刻蝕系統(tǒng)

RIE等離子刻蝕系統(tǒng)

簡要描述:RIE-200NL是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng),它提高了工藝的可重復(fù)性,并允許腐蝕性氣體化學(xué)。優(yōu)化的工藝室設(shè)計(jì)可在ø8 “晶圓或ø220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。RIE-200NL設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊,只需小的潔凈室空間。

  • 產(chǎn)品型號:RIE-200NL
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-09-04
  • 訪  問  量: 182

詳細(xì)介紹

1. 產(chǎn)品概述

RIE-200NL是一種負(fù)載鎖定型的反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng),它提高了工藝的可重復(fù)性,并允許腐蝕性氣體化學(xué)。優(yōu)化的工藝室設(shè)計(jì)可在?8 "晶圓或?220mm小晶圓的載盤上提供優(yōu)異的均勻性。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)精確的側(cè)壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。RIE-200NL設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊,只需小的潔凈室空間。

2. 設(shè)備用途/原理

大加工范圍:?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)。對稱的排空設(shè)計(jì)提高了蝕刻的均勻性。工藝室通過負(fù)荷鎖定室與環(huán)境隔離,提高了工藝的可重復(fù)性,并可進(jìn)行腐蝕性氣體的化學(xué)反應(yīng)。計(jì)算機(jī)觸摸屏為參數(shù)控制和存儲提供了一個(gè)用戶友好的界面。自動壓力控制,可精確控制工藝壓力,不受氣體流量影響。干式泵和系統(tǒng)布局便于維護(hù)。RIE-200NL設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊,只需小的潔凈室空間。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體的氯基蝕刻。各種材料的蝕刻,如Si、SiO2、SiN、Poly-Si、Al、Mo、Pt、Polyimide等。故障分析中的選擇性層蝕刻

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