深硅刻蝕設(shè)備

簡要描述：RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH（德國）授權(quán)，能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進(jìn)行高速和高各向異性蝕刻。

產(chǎn)品型號：RIE-400iPB
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-09-04
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1. 產(chǎn)品概述

RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH（德國）授權(quán)，能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進(jìn)行高速和高各向異性蝕刻。

2. 設(shè)備用途/原理

MEMS的制造（加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等），μTAS等醫(yī)療設(shè)備的加工。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

可以實(shí)現(xiàn)高速硅深孔加工，它具有的等離子體源和反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，支持博世工藝，可實(shí)現(xiàn)硅的快速深鉆。保持速度，減少扇形，通過高速切換氣體，可以在保持蝕刻速度的同時(shí)減少扇形。可以進(jìn)行SiO?的蝕刻，可以通過更換用ICP線圈來處理SiO?。

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