當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備 > 3 CVD > PD-220NL化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
簡(jiǎn)要描述:PD-220NL 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng),能夠沉積硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標(biāo)準(zhǔn)功能。可在直徑220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜,并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面,用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。
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1. 產(chǎn)品概述
PD-220NL 是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng),能夠沉積硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了PECVD的所有標(biāo)準(zhǔn)功能。可在直徑220毫米的區(qū)域內(nèi)沉積具有優(yōu)異厚度均勻性和應(yīng)力控制的薄膜,并具有優(yōu)異的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。用戶友好的觸摸屏界面,用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。該系統(tǒng)是研發(fā)用薄膜沉積以及試生產(chǎn)的理想選擇。
2. 設(shè)備用途/原理
SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液體驅(qū)體(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。
3. 設(shè)備特點(diǎn)
大加工范圍:?220 mm (?3" x 5, ?4" x 3, ?8" x 1)。優(yōu)異的均勻性和應(yīng)力控制。工藝穩(wěn)定性和可重復(fù)性。堅(jiān)固的系統(tǒng),低的運(yùn)行/維護(hù)成本。用戶友好的觸摸屏界面,用于參數(shù)控制和配方存儲(chǔ)。PD-220NL設(shè)計(jì)時(shí)尚、緊湊,只需小的潔凈室空間。雙頻(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD,用于過程控制。
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