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簡要描述:Nikon NSR G線光刻機(jī)1、Nikon NSR G線步進(jìn)式光刻機(jī)光源波長436nm分辨率優(yōu)于0.65µm主要用于2寸、4寸、6寸生產(chǎn)線廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等領(lǐng)域2、產(chǎn)品詳情主要技術(shù)指標(biāo)分辨率0.65µmN.A.0.6曝光光源436nm倍率5:1最大曝光現(xiàn)場15mm*15mm17.5mm*17.5mm對(duì)準(zhǔn)精度140nm
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Nikon NSR G線步進(jìn)式光刻機(jī)是一款專為半導(dǎo)體制造設(shè)計(jì)的高精度設(shè)備,該機(jī)型采用 G 線光源和先進(jìn)的步進(jìn)光刻技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率和精確的圖案轉(zhuǎn)移,廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)、微處理器和存儲(chǔ)器等電子元件的制造。憑借其良好的成像質(zhì)量和快速的曝光速度,NSR G線非常適合大批量生產(chǎn),同時(shí)其用戶友好的操作界面和自動(dòng)化功能大大提升了生產(chǎn)效率。這使得 Nikon NSR G線成為現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過程的重要工具,滿足行業(yè)對(duì)高質(zhì)量和高效率的需求。
該設(shè)備通過高強(qiáng)度的 G 線光源將掩模上的圖案逐步投影到涂有光刻膠的晶圓表面。光源發(fā)出特定波長的光線,經(jīng)過高分辨率光學(xué)系統(tǒng),精確地將掩模圖案投影到晶圓上進(jìn)行曝光。曝光后,光刻膠的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化,接著進(jìn)行顯影,去除未曝光或已曝光的光刻膠,從而形成所需的圖案。隨后,采用刻蝕工藝將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓材料上,最后去除殘留的光刻膠。這一系列步驟使得 Nikon NSR G線能夠高效地實(shí)現(xiàn)復(fù)雜圖形的精確轉(zhuǎn)移,滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造的高標(biāo)準(zhǔn)要求。
分辨率 | 0.65µm |
N.A. | 0.6 |
曝光光源 | 436nm |
倍率 | 5:1 |
大曝光現(xiàn)場 | 15mm*15mm |
對(duì)準(zhǔn)精度 | 140nm |
Nikon NSR G線步進(jìn)式光刻機(jī)
光源波長436nm
分辨率優(yōu)于0.65µm
主要用于2寸、4寸、6寸生產(chǎn)線
廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等
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