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簡(jiǎn)要描述:CIF等離子去膠機(jī) 采用電感耦合各向同性(各個(gè)方向)等離子激發(fā)方式,適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進(jìn)行等離子體去膠。其外觀美學(xué)設(shè)計(jì),結(jié)構(gòu)緊湊,漂亮大氣,優(yōu)化的腔體結(jié)構(gòu)及合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使得處理樣品量更大,適用范圍更廣,性能更穩(wěn)定,操作更簡(jiǎn)便,性價(jià)比更高,使用成本更低,實(shí)用性更強(qiáng),更容易維護(hù)。
產(chǎn)品分類
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一、 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
CIF等離子去膠機(jī) 采用電感耦合各向同性(各個(gè)方向)等離子激發(fā)方式,適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進(jìn)行等離子體去膠。其外觀美學(xué)設(shè)計(jì),結(jié)構(gòu)緊湊,漂亮大氣,優(yōu)化的腔體結(jié)構(gòu)及合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使得處理樣品量更大,適用范圍更廣,性能更穩(wěn)定,操作更簡(jiǎn)便,性價(jià)比更高,使用成本更低,實(shí)用性更強(qiáng),更容易維護(hù)。特別適合于大學(xué),科研院所和微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室,對(duì)電路板、外延片、芯片、環(huán)氧基樹(shù)脂、MEMS制造過(guò)程中犧牲層,干刻或濕刻處理前或后,對(duì)基材進(jìn)行聚合物剝離、金屬剝離、掩膜材料等光刻膠去除,以及晶圓表面預(yù)處理等。
二、CIF等離子去膠機(jī) 產(chǎn)品特點(diǎn)
1. PLC工控機(jī)控制整個(gè)去膠過(guò)程,手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。
2. 7寸彩色觸摸屏互動(dòng)操作界面,圖形化用戶操作界面顯示,自動(dòng)監(jiān)測(cè)工藝參數(shù)狀態(tài),20個(gè)配方程序,可存儲(chǔ)、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù),機(jī)器運(yùn)行、停止提示。
3. 石英真空倉(cāng),全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì),耐腐蝕無(wú)污染。
4. 可選用石英舟,更適合晶元硅片去膠應(yīng)用。
5. 有效處理面積大,可處理最大直徑200mm晶元硅片。
6. 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式,改變傳統(tǒng)等離子清洗機(jī)單孔進(jìn)氣不均勻問(wèn)題。
7. 采用防腐數(shù)字流量計(jì),實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng),可選多氣路氣體輸送系統(tǒng),氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮?dú)?、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。
8. HEPA高效過(guò)濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。
9. 處理高效均勻,效率高,工藝重復(fù)性好。
10. 樣品處理溫度低,無(wú)熱損傷和熱氧化。
11. 安全保護(hù),倉(cāng)門(mén)打開(kāi),自動(dòng)關(guān)閉電源。
三、技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | SPB5 | SPB5plus |
艙體尺寸 | D200xΦ155mm | D200xΦ155mm |
艙體容積 | 3.8L | 3.8L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
匹配器 | 自動(dòng)匹配 | 自動(dòng)匹配 |
激發(fā)方式 | 電感耦合 | 電感耦合 |
射頻功率 | 10-300W可調(diào) | 10-300W可調(diào)(可選10-600W) |
最大處理尺寸 | Φ150m | Φ150m |
氣體控制 | 質(zhì)量流量計(jì)(MFC)(標(biāo)配單路,可選雙路)流量范圍0-500SCCM(可調(diào)) | |
工藝氣體 | Ar、N?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等(可選) | |
時(shí)間設(shè)定 | 1-99分59秒 | |
真空泵 | 抽速約8m3/h | |
氣體穩(wěn)定時(shí)間 | 1分鐘 | |
極限真空 | ≤1Pa | |
電 源 | AC220V 50-60Hz,所有配線符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。 |
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